芯恩(青岛)集成电路项目 打破国外垄断推动我国集成电路产业发展

2019-07-05 中国发展网

中国发展网讯 芯恩(青岛)集成电路项目位于青岛国际经济合作区,一、二期总投资约188亿元,其中一期总投资约81亿元,占地约373亩,总建筑面积约35万平方米,主要从事12英寸芯片、8英寸芯片、光掩膜版等集成电路产品的量产,满产后可实现年均产值约46.1亿元,净利润约9.7亿元。

项目将开发12英寸40nm-28nm集成电路芯片产品工艺技术,除了意法半导体技术授权40nm的标准逻辑工艺以外,同时开发闪存Embedded Flash的尖端工艺,用以生产微处理器MCU芯片。

项目还将开发8英寸180nm-110nm集成电路芯片产品工艺技术,包括数字模拟混合(BCD、DLP)、高端IGBT等半导体功率器件,其中IGBT的逆导型IGBT(Reverse-Conducting IGBT)的高端及超薄(小于50微米的硅片厚度)的工艺技术是中国首创。RC-IGBT是将IGBT单元和FWD(Free Wheeling Diode)单元交替配置而成。

光掩膜版使用国内最先进14纳米技术。

项目正在建设特色型工艺的8英寸集成电路生产线一条,国内最先进数模混合工艺的40纳米12英寸集成电路生产线一条,国内最先进14纳米光掩膜版生产线一条,芯片测试厂一个以及组建嵌入式芯片32位MCU集成电路设计团队。

青岛国际集成电路产业园区包括青岛国际半导体制造基地、青岛国际半导体创新中心两个片区,拟打造集生产、生活、生态于一体的国际高端产城融合芯片园区。其中制造基地包括集成电路制造工厂、光掩模片厂、空白掩模基板厂、半导体设备及修理厂、光刻胶厂、碳化硅/氮化镓生产厂、封测厂等内容;创新中心包括半导体设计产业园、微纳技术研究院、“双创”基地、国际社区、国际学校等内容。

随着“中国制造2025”、“互联网+”行动指导意见相继组织实施,中国半导体产业面临着前所未有的发展机遇。

项目将针对数模混合芯片、汽车电子、微机电器件、消费类电子等产业痛点,打造一批有自主知识产权的集成电路产品,填补国内空白、打破国外垄断,推动我国集成电路产业整体水平的提升。